POUR DIFFUSION IMMÉDIATE, n° 3018

Mitsubishi Electric a développé un module de puissance nouvelle génération appelé X-Series New Dual

Une nouvelle génération de module IGBT de forte puissance dans un boitier standardisé pour une meilleure flexibilité.

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TOKYO, 6 avril 2016 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO : 6503) a annoncé aujourd'hui avoir développé un module de nouvelle génération, baptisé module IGBT New Dual X-Series de forte puissance, destiné aux applications de traction ferroviaire et de conversion d’énergie pour l’industrie. Ce nouveau module offre une densité de courant élevé, ainsi qu'un boîtier standardisé permettant de concevoir des systèmes de convertisseurs flexibles et de hauts rendements.

Des échantillons de la version 3,3kV (LV100) du module New Dual X Series seront disponibles dès Mars 2017. Viendrons par la suite l’introduction, dans l’ordre, des versions 1,7kV, 3,3kV (HV100), 4,5kV et 6,5kV, et cela dès 2018. La société prévoit également d'ajouter à la gamme une version de moins de 1700V par la suite.

Les modules seront exposés lors de salons majeurs, comme au MOTORTECH JAPAN 2016, lors de l'exposition TECHNO-FRONTIER 2016 qui se déroule au Japon du 20 au 22 Avril, ou encore au Power Conversion Intelligent Motion (PCIM) Europe 2016 à Nuremberg, en Allemagne, du 10 au 12 Mai, et au PCIM Asia 2016 à Shanghai, en Chine, du 28 au 30 Juin.

Isolation 6 kV du boîtier du module LV100

Isolation 6 kV du boîtier du module LV100

Isolation 10 kV du boîtier du module HV100

Isolation 10 kV du boîtier du module HV100

Les modules de forte puissance sont essentiels pour le contrôle de la conversion de d’énergie au sein des systèmes électroniques, dans une large gamme de puissance allant de quelques kilowatts à plusieurs mégawatts. Jusqu'à maintenant, les modules affichant une tension nominale allant jusqu'à 6,5kV et un courant nominal de quelques milliers d'ampères sont commercialisés.

Le nouveau module IGBT haute tension (HVIGBT) New Dual X Series satisfera les besoins en semi-conducteurs à densité de puissance élevée dans une large plage de tensions et de courants, tout en favorisant une puissance et un rendement optimaux des convertisseurs grâce aux diodes RFC et IGBT de nouvelle génération. En parallèle, les dimensions standardisées du boîtier permettront aux fabricants d'électronique industrielle de simplifier les conceptions et de garantir plusieurs sources d’approvisionnements.

Fonctionnalités du produit

1)
Une densité de puissance et un rendement énergétique élevés
-La nouvelle génération d'IGBT utilisant les diodes CSTBT TM et RFC permettent de minimiser les pertes de puissance au sein des systèmes d'onduleurs.
-La technologie de boîtier améliorée et l'inductance parasite faible permettent d'atteindre des performances optimales.
-Trois terminaux principaux AC sur le boîtier du module LV100 permettent une meilleure distribution de la densité du courant, améliorant ainsi les capacités de l'élément de puissance.
2)
Une taille de boîtier standard pour plus de configurations des convertisseurs et plus de puissance
-Les modules LV100 et HV100 ont une conception de boîtier standardisé.
-Des connexions simples et normalisées amènent une optimisation de la configuration du système et autorisent une large plage de courants.
-La gamme s'étend de 1,7 à 6,5kV.
-une amélioration de la flexibilité des configurations système et une meilleur gestion de l’évolution des convertisseurs.
3)
Un nouveau boîtier standardisé pour une conception plus efficace
-Compatible mécaniquement (fixation embase et terminaux) avec les produits d’Infineon Technologies AG (Allemagne).
Gamme de produits (plan)
Modèle Type de
boîtier
Tension
d'isolation
Tension
collecteur-émetteur
Courant
nominal
maximal
Connexion Dimensions Disponibilité
des échantillons
module
X-Series
IGBT haute tension
New Dual
LV100 6 kV 1,7 kV 900 A 2 en 1 L : 100 mm
x
P : 140 mm
x
H : 40 mm
À partir de 2018
3,3 kV 450 A Mars 2017
HV100 10 kV 3,3 kV 450 A À partir de 2018
4,5 kV 330 A
6,5 kV 225 A