POUR DIFFUSION IMMÉDIATE, n° 3044

Mitsubishi Electric lance un nouveau Module Super Mini DIPIPM en SiC

Solution optimale à faible consommation d'énergie destinée aux climatiseurs écoénergétiques haute qualité

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TOKYO, 17 août 2016 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO : 6503) a annoncé aujourd'hui le lancement d'un nouveau modèle de semi-conducteur de puissance fabriqué par moulage par compression-transfert. Il rejoint la gamme de produits Super-mini Dual-In-line Package Intelligent Power Modules (DIPIPM™, modules de puissance intelligents), qui intègrent des transistors à effet de champ à structure métal-oxyde-semi-conducteur au carbure de silicium (SiC-MOSFET). Son lancement est prévu le 17 août.

Super-mini DIPIPM entièrement en carbure de silicium

Caractéristiques du produit

1)
Très faible consommation électrique pour le marché des appareils domestiques
-La technologie SiC-MOSFET réduit la consommation électrique d'environ 70 % par rapport au module Super-mini DIPIPM existant de Mitsubishi Electric et permet de diminuer par ce fait la consommation électrique globale des climatiseurs.
2)
Conception simplifiée du système de convertisseur
-Les configurations de taille et de broches sont compatibles avec les modèles existants Super-mini DIPIPM de Mitsubishi Electric : Ver.6, PSSxxS92x6series, etc.
-Offrant une tension de seuil élevée, le transistor SiC-MOSFET ne nécessite pas de circuit de polarisation par tension négative, simplifiant ainsi la conception du circuit.
-Moins de composants externes sont utilisés grâce à l'emploi d'une diode « bootstrap » intégrée avec une résistance interne de limitation d'intensité.
Planning des ventes
Modèle Spécification Livraison
PSF15S92F6 15 A/600 V 17 août 2016

    Ce texte est une traduction de la version anglaise officielle de ce communiqué de presse. Il est fourni à titre de référence et pour votre confort uniquement. Pour tout détail ou spécificité, veuillez vous reporter à la version anglaise d'origine. La version anglaise d'origine prime, en cas de divergence.

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