POUR DIFFUSION IMMÉDIATE, n° 3075

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Mitsubishi Electric lance une nouvelle diode laser de 639 nm de haute puissance pour les projecteurs laser

Une puissance de sortie continue sans précédent de 2,1 W avec une lumière rouge intense de 639 nm

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TOKYO, 14 décembre 2016 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO : 6503) a annoncé aujourd’hui le lancement, prévu le 1er février 2017, d’une nouvelle diode laser continue (CW) pour projecteurs, la ML562G85, qui offre une puissance de sortie inégalée de 2,1 W en émettant une lumière rouge intense d’une longueur d’onde de 639 nanomètres (nm). Alliant couleur rouge intense et faible consommation d’énergie, la diode est parfaitement adaptée aux projecteurs à laser pour des grandes salles qui exigent une forte luminosité.

Diode laser haute puissance de 639 nm (ML562G85)

Produire une diode laser haute puissance à haute température avec une longueur d’onde n’excédant pas 640 nm, le maximum souhaitable pour obtenir une luminosité suffisante, a représenté un défi technique considérable. Mitsubishi Electric a réussi à mettre au point sa nouvelle diode laser haute puissance CW, qui fonctionne à des températures élevées, en utilisant une technologie haute puissance inédite, notamment une structure de diode laser optimisée.

Caractéristiques du produit

1)
Puissance de sortie de 2,1 W et lumière rouge intense d’une longueur d'onde de 639 nm
-La structure épitaxiale optimisée et la taille de l’émetteur permettent d’obtenir une puissance de sortie inégalée de 2,1 W (en continu), soit une puissance 4,2 fois plus élevée que celle du modèle actuel.
-Grâce à la lumière laser haute luminosité de 639 nm et à la puissance de sortie de 2,1 W, la puissance lumineuse produite est de 250 lumens par diode.
-Le rendement élevé « à la prise » de 41 % pour une puissance de 2,1 W (en continu) et une température minimale de 25 degrés Celsius aident à réduire la consommation d’énergie du projecteur.
2)
Plage de températures de fonctionnement la plus large jamais obtenue pour une diode laser rouge grâce à un système de dissipation de la chaleur amélioré
-Boîtier TO (« transistor-outline ») de 9 mm de diamètre qui améliore la dissipation de la chaleur
-Plage de températures de fonctionnement sans précédent, allant de 0 à 45 degrés Celsius à 2,1 W (en continu), contre 0 à 40 degrés Celsius à 0,5 W (en continu) pour le modèle actuel.