POUR DIFFUSION IMMÉDIATE, n° 3085

Ce texte est une traduction de la version anglaise officielle de ce communiqué de presse. Il est fourni à titre de référence et pour votre confort uniquement. Pour tout détail ou spécificité, veuillez vous reporter à la version anglaise d'origine. La version anglaise d'origine prime, en cas de divergence.

Mitsubishi Electric s'apprête à lancer une diode Schottky en carbure de silicium

Cette diode permet de réduire les pertes de puissance et la taille des systèmes d'alimentation

Version PDF (PDF:191.0KB)

TOKYO, 1 mars 2017 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO : 6503) a annoncé aujourd'hui le lancement d'une diode Schottky en carbure de silicium (SiC-SBD) dotée d'une structure Schottky-bipolaire (Junction Barrier Schottky, JBS) afin de réduire les pertes de puissance et la taille des systèmes d'alimentation des climatiseurs, des systèmes de production d'énergie photovoltaïque et de nombreux autres appareils. Ces améliorations seront applicables dès la commercialisation du produit.

SiC-SBD (BD20060T)

SiC-SBD (BD20060S)

Caractéristiques du produit

1)
Le carbure de silicium aide à réduire la consommation d'énergie et la taille de l'appareil
-Conversion de l'énergie améliorée qui se traduit par des pertes de puissance de 21 % inférieures à celles relevées sur les produits en silicone (Si)
-Possibilité de remplacer des composants périphériques, tels que des réacteurs, par des versions miniaturisées dans des délais très brefs
2)
Fiabilité accrue grâce à une structure JBS
-Dotée d'une barrière de Schottky et d'une jonction p-n
-Structure JBS garantissant une fiabilité élevée

Planning des ventes

Série Modèle Boîtier Spécification Livraison
SiC-SBD BD20060T TO-220 20 A/600 V 1 mars 2017
BD20060S TO-247 1 septembre 2017