POUR DIFFUSION IMMÉDIATE, n° 3053

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Mitsubishi Electric étend sa gamme de transistors à haute mobilité d'électrons (GaN-HEMT)

La puissance de sortie élevée des nouveaux modèles permettra de réduire la taille des stations terrestres de télécommunication par satellite

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TOKYO, 27 septembre 2016 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO : 6503) a annoncé aujourd'hui son intention d'étendre sa gamme de transistors à haute mobilité d'électrons au nitrure de gallium (GaN-HEMT), afin d'y ajouter des unités d'une puissance de 100 W et de 70 W destinées aux stations terrestres de télécommunication par satellite qui utilisent la bande Ku*. Selon une étude réalisée par Mitsubishi Electric, la puissance de sortie du nouveau transistor GaN-HEMT de 100 W est l'une des plus élevées à ce jour. Mitsubishi Electric enverra des échantillons à compter du 1er octobre.

*Bande de fréquence micro-ondes allant de 12 à 18 GHz

Gauche : MGFK50G3745
Droite : MGFK48G3745

La communication par satellite connaît un essor particulier sur la bande Ku, car elle facilite la communication à haute vitesse dans des conditions difficiles, notamment lors de catastrophes naturelles et dans les régions où la construction de systèmes de communication s'avère difficile. Le déploiement d'équipements de transmission utilisant des transistors GaN-HEMT à plus haute puissance s'est répandu ces dernières années, en particulier dans des applications à haute vitesse telles que la collecte d'informations par satellite.

Mitsubishi Electric étend sa gamme de transistors à haute mobilité d'électrons (GaN-HEMT) à bande Ku afin de répondre à cette demande croissante en puissance élevée. Ainsi, le nouveau modèle MGFK50G3745 offre une puissance de sortie exceptionnelle de 100 W, tandis que le modèle MGFK48G3745 offre une puissance de sortie de 70 W.

Caractéristiques du produit

1)
Puissance de sortie inégalée contribuant à la miniaturisation
- Optimisation de la structure des transistors. Le modèle MGFK50G3745 fournit une puissance de 100 W, idéale pour les stations terrestres de télécommunication par satellite qui utilisent la bande Ku.
- Réduction du nombre de pièces des transistors GaN-HEMT, contribuant à une miniaturisation des équipements de transmission dans les stations terrestres de télécommunication par satellite.
2)
Extension de la gamme de produits et diversification des solutions
- Grâce aux nouveaux modèles de 100 W et 70 W, la plage de puissances de sortie des équipements de transmission des stations terrestres de télécommunication par satellite s'étend.
- Les composants des émetteurs peuvent être configurés individuellement à l'étape de fabrication, éliminant ainsi le besoin d'une configuration sur site et réduisant le délai global de développement.
- Les modèles utilisent le module d'amplification de puissance MGFG5H1503 existant comme étage de puissance ; ils tirent ainsi parti du linéarisateur de ce dernier pour aider à réduire la distorsion des émetteurs.
Planning des ventes
Produit Application Modèle Résumé Livraison
Fréquence Puissance
de sortie
saturée		 Gain
linéaire
Transistors GaN-
HEMT
à bande Ku		 Stations terrestres
de télécommunication par satellite		 MGFK50G3745 13,75 à 14,5
 GHz		 50,0 dBm
(100 W)		 10,0 dB 1er janv. 2017
MGFK48G3745 48,3 dBm
(70 W)		 10,0 dB 1er oct. 2016

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