Communiqués de presse

Mitsubishi Electric s'apprête à lancer une diode SiC à barrière de Schottky 1 200 VPermettant de réduire les pertes de puissance et la taille des systèmes d'alimentation

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POUR DIFFUSION IMMÉDIATE, n° 3272

TOKYO, le 27 mars 2019 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO : 6503) a annoncé aujourd'hui le lancement d'une nouvelle diode à barrière de Schottky au carbure de silicium (SiC-SBD) 1 200 V qui permet de réduire les pertes de puissance et la taille des systèmes d'alimentation électrique d'infrastructure, photovoltaïques et plus encore. Les envois des échantillons commenceront en juin 2019 et les ventes débuteront en janvier 2020.

Les diodes seront présentées lors de salons majeurs, notamment au MOTORTECH JAPAN 2019, lors de l'exposition TECHNO-FRONTIER 2019 au palais des expositions Makuhari à Chiba (Japon) du 17 au 19 avril, au PCIM Europe 2019 à Nuremberg (Allemagne) du 7 au 9 mai, ou encore au PCIM Asia 2019 à Shanghai (Chine) du 26 au 28 juin.

  • Boîtier TO-247 1 200 V SiC-SBD

  • Boîtier TO-247-2 1 200 V SiC-SBD

Caractéristiques du produit

  1. 1) Le carbure de silicium permet de réduire les pertes de puissance et la taille du boîtier
    • Conversion de l'énergie améliorée qui se traduit par des pertes de puissance de 21 % inférieures à celles relevées sur les produits en silicone (Si)
    • Possibilité de remplacer des composants périphériques, tels que des réacteurs, par des versions miniaturisées dans des délais très brefs

  2. 2) Fiabilité accrue grâce à une structure JBS
    • Dotée d'une barrière de Schottky et d'une jonction p-n
    • Structure JBS garantissant une fiabilité élevée

  3. 3) Extension de la gamme pour diverses applications
    • Avec le boîtier TO-247 existant, le boîtier TO-247-2, doté d'une grande distance de dégagement d'isolement, permet de couvrir une large gamme d'applications, y compris les biens de consommation.
    • Conforme aux spécifications AEC-Q101 de l'Automotive Electronics Council pour l'industrie automobile (BD20120SJ uniquement)

Planning des ventes

Série Modèle Boîtier Spécification Disponibilité des échantillons Date de lancement
1 200 V
SiC-SBD
BD10120P TO-247-2 1 200 V / 10 A Juin 2019 Janvier 2020
BD20120P 1 200 V / 20 A
BD10120S TO-247 1 200 V / 10 A
BD20120S 1 200 V / 20 A
BD20120SJ 1 200 V / 20 A
AEC-Q101
Avril 2020

Remarque

Veuillez noter que les communiqués de presse sont exacts au moment de la publication, mais peuvent être sujets à modifications sans préavis.


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