Communiqués de presse
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POUR DIFFUSION IMMÉDIATE, n° 3272
TOKYO, le 27 mars 2019 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO : 6503) a annoncé aujourd'hui le lancement d'une nouvelle diode à barrière de Schottky au carbure de silicium (SiC-SBD) 1 200 V qui permet de réduire les pertes de puissance et la taille des systèmes d'alimentation électrique d'infrastructure, photovoltaïques et plus encore. Les envois des échantillons commenceront en juin 2019 et les ventes débuteront en janvier 2020.
Les diodes seront présentées lors de salons majeurs, notamment au MOTORTECH JAPAN 2019, lors de l'exposition TECHNO-FRONTIER 2019 au palais des expositions Makuhari à Chiba (Japon) du 17 au 19 avril, au PCIM Europe 2019 à Nuremberg (Allemagne) du 7 au 9 mai, ou encore au PCIM Asia 2019 à Shanghai (Chine) du 26 au 28 juin.
Boîtier TO-247 1 200 V SiC-SBD
Boîtier TO-247-2 1 200 V SiC-SBD
Série | Modèle | Boîtier | Spécification | Disponibilité des échantillons | Date de lancement |
---|---|---|---|---|---|
1 200 V SiC-SBD |
BD10120P | TO-247-2 | 1 200 V / 10 A | Juin 2019 | Janvier 2020 |
BD20120P | 1 200 V / 20 A | ||||
BD10120S | TO-247 | 1 200 V / 10 A | |||
BD20120S | 1 200 V / 20 A | ||||
BD20120SJ | 1 200 V / 20 A AEC-Q101 |
Avril 2020 |
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