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POUR DIFFUSION IMMÉDIATE, n° 3359

TOKYO, le 11 juin 2020 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO : 6503) a annoncé aujourd'hui l'acquisition de bâtiments et de terrains de Sharp Fukuyama Semiconductor Co., Ltd., filiale en propriété exclusive de Sharp Corporation située à Fukuyama, dans la préfecture d'Hiroshima, au Japon. Les propriétés acquises serviront de nouveau site où Mitsubishi Electric Power Device Works traitera des plaques pour la fabrication de semi-conducteurs de puissance. De nouvelles installations de production, dont le lancement est prévu d'ici novembre de l'année prochaine, permettront à Mitsubishi Electric d'étendre ses activités en matière de dispositifs de puissance.
La demande de semi-conducteurs de puissance nécessaire pour contrôler l'énergie électrique avec efficacité augmente rapidement parallèlement aux efforts déployés pour économiser l'énergie et protéger l'environnement mondial grâce à des mesures de réduction du carbone telles que l'électrification continue des automobiles dans le monde entier.
Pour répondre à cette demande croissante, Mitsubishi Electric a entrepris de rechercher de nouveaux sites de fabrication potentiels. Par conséquent, la société a conclu un accord avec Sharp Corporation afin d'acquérir des bâtiments et des terrains de Sharp Fukuyama Semiconductor.

Nouveau site de fabrication

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