Communiqués de presse

Mitsubishi Electric lance des modules d'alimentation intégralement fabriqués en SiC de deuxième génération à usage industriel

Ces modules contribueront à la mise au point d'équipements électroniques plus efficaces, plus petits et plus légers

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POUR DIFFUSION IMMÉDIATE n° 3372

TOKYO, 15 septembre 2020 – Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO : 6503) a annoncé aujourd'hui le lancement prochain de modules d'alimentation intégralement fabriqués en SiC (carbure de silicium) de deuxième génération à usage industriel, dotés de nouvelles puces SiC. Les caractéristiques de faible perte de puissance et le fonctionnement à fréquence porteuse élevée¹ des puces SiC-MOSFET (transistors à effet de champ à structure métal-oxyde-semi-conducteur en carbure de silicium) et SiC-SBD (diode à barrière Schottky) de ces modules devraient faciliter le développement d'équipements électroniques plus efficaces, plus petits et plus légers dans divers domaines industriels. Les ventes commenceront en janvier 2021.

1Fréquence qui détermine le moment de mise en marche ou d'arrêt de l'élément de commutation dans un circuit inverseur

1 200 V/600 A, 800 A 2 en 1 1 700 V/300 A 2-en-1, circuit RTC découpeur intégré
1 200 V/300 A, 400 A 4 en 1, circuit RTC intégré
1 200 V/1 200 A 2 en 1, circuit RTC intégré
1 200 V/400 A 4 en 1, 1 200 V/800 A 2-en-1

Caractéristiques du produit

1)Contribution à la mise au point d'équipements industriels plus efficaces, plus petits et plus légers
- La technologie de dopage à transistor à effet de champ à jonction (JFET)² réduit la résistance à l'état conducteur d'environ 15 % par rapport aux produits SiC³ conventionnels.
- La réduction de la capacité de miroir⁴ permet une commutation rapide et réduit la perte de commutation.
- Les puces SiC-MOSFET et SiC-SBD intégrées permettent de réduire la perte de puissance d'environ 70 % par rapport aux modules Si-IGBT conventionnels de Mitsubishi Electric.
- La réduction de la perte de puissance et le fonctionnement à fréquence porteuse élevée faciliteront le développement de composants externes plus petits et plus légers, tels que les réacteurs et les refroidisseurs.
1. 2 Augmente la densité du dispositif en faisant monter la densité d'impuretés dans la zone JFET
2. 3 Modules SiC de première génération de Mitsubishi Electric (avec la même valeur nominale) à usage industriel
3. 44 Capacité parasite entre la porte et le drain existant dans la structure MOSFET (Crss) qui affecte le temps de commutation
2)Le circuit de commande en temps réel (RTC) équilibre les performances de court-circuit et les faibles résistances à l'état conducteur
- Performances de court-circuit sûres et caractéristiques de faible résistance à l'état conducteur obtenues avec un circuit RTC5 pour bloquer un courant excessif pendant les courts-circuits.
- En cas de court-circuit, le courant excessif provenant d'un circuit de protection externe est bloqué en toute sécurité en surveillant le signal de détection de court-circuit.
1. 5À l'exception des modèles FMF400BX-24B et FMF800DX-24B
3)Disposition optimisée des puces internes pour une meilleure dissipation de la chaleur
- Le positionnement décentralisé et optimisé des puces SiC-MOSFET et SiC-SBD à l'intérieur des modules contribue à améliorer la dissipation de la chaleur, permettant ainsi l'utilisation de refroidisseurs plus petits ou sans ventilateur.