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TOKYO, 4 juin 2026 – Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO : 6503) a annoncé aujourd’hui qu’elle commencera à expédier progressivement, fin juin, des échantillons de deux types de nouveaux transistors à effet de champ à structure métal-oxyde-semi-conducteur en carbure de silicium de 5e génération (SiC-MOSFET) sous forme de matrices nues. Les nouveaux SiC-MOSFET sont conçus pour être utilisés dans les onduleurs pour moteurs à entraînement et essieux électriques (eAxles)¹ de véhicules électriques (VE), véhicules hybrides rechargeables (PHEV) et autres véhicules électrifiés (xEV). Ils intègrent la structure à tranchée propriétaire de Mitsubishi Electric² et atteignent une faible résistance à l’état passant⁴ environ 25 % inférieure⁵ à celle des produits existants, à la pointe de l’industrie³.

Les produits seront présentés au PCIM Expo & Conference 2026 (du 9 au 11 juin, Nuremberg, Allemagne) ainsi que lors d’expositions au Japon, en Chine et dans d’autres pays.

Les matrices nues SiC-MOSFET de 5e génération de Mitsubishi Electric contribueront aux performances et à la miniaturisation des onduleurs et des essieux électriques (eAxles) de xEV, ce qui étendra l’autonomie et améliorera l’efficacité énergétique des xEV. De plus, la technologie de processus de fabrication propriétaire de l’entreprise limite la dégradation des performances ainsi que les fluctuations des pertes de puissance et de la résistance à l’état passant, garantissant une qualité stable même après une utilisation prolongée et contribuant à la durabilité et aux performances des onduleurs xEV et des eAxles.