Communiqués de presse
Mitsubishi Electric s'apprête à expédier des exemplaires de puces nues de module SiC-MOSFET pour xVELa puce de semi-conducteur de puissance normalisée étendra l'autonomie de conduite et réduira les coûts d'alimentation des xVE
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POUR DIFFUSION IMMÉDIATE n° 3748
(gauche) Plaque avec modules SiC-MOSFET pour xVE (rendu) (droite) Disposition de la puce nue de module SiC-MOSFET pour xVE (rendu de l'échantillon expédié)
TOKYO, 12 novembre 2024 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO : 6503) a annoncé aujourd'hui l'envoi d'échantillons d'une puce nue de transistor à effet de champ à structure métal-oxyde-semi-conducteur (MOSFET) en carbure de silicium (SiC) pour une utilisation dans les onduleurs pour moteur d'entraînement des véhicules électriques (VE), des véhicules hybrides rechargeables (PHEV) et d'autres véhicules électriques (xVE) le 14 novembre. La première puce de semi-conducteur de puissance SiC-MOSFET aux spécifications standard de Mitsubishi Electric permettra à la société de répondre à la diversification des onduleurs pour les xVE et de contribuer à la popularité croissante de ces véhicules. La nouvelle puce nue de module SiC-MOSFET pour xVE combine une structure de puce propriétaire et des technologies de fabrication pour contribuer à la décarbonisation en améliorant les performances de l'onduleur, en étendant l'autonomie de conduite et en améliorant l'efficacité énergétique des xVE.
La nouvelle puce de semi-conducteur de puissance de Mitsubishi Electric est un module SiC-MOSFET à tranchée* propriétaire qui réduit la perte de puissance d'environ 50 % par rapport aux modules SiC-MOSFET planaires** conventionnels. Grâce à des technologies de fabrication propriétaires, telles qu'un procédé à film d'oxyde de grille qui supprime les fluctuations de perte de puissance et de résistance à l'état conducteur, la nouvelle puce atteint une bonne stabilité à long terme pour contribuer à la durabilité du variateur et aux performances des xVE.
- * La rainure (tranchée) est creusée à la surface de la plaque et l'électrode de grille est intégrée.
- ** L'électrode de grille est placée sur la surface de la plaque.
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Public Relations Division Mitsubishi Electric Corporation
